電子、半導(dǎo)體行業(yè)
ELETM可以提供適用于電阻、電容、EMI、半導(dǎo)體、LED中的鍍膜靶材。
品名 | 規(guī)格 | 純度 | 密度g/cm3 | 熔點(diǎn)℃ | 工藝 |
Ag靶材 | 按客戶要求 定制 | 4N | 10.3 | 熔煉 | |
Al靶材 | 5N | 2.702 | 熔煉 | ||
Cr靶材 | 4N | 7.20 | HIP | ||
Cu靶材 | 6N | 8.92 | 熔煉 | ||
Si靶材 | 5N | 2.33 | 1420 | 直拉 | |
SiO2靶材 | 4N5 | 2.202 | 1713 | 熔煉/熱壓 | |
Ni靶材 | 5N | 8.90 | 熔煉 | ||
Mo靶材 | 5N | 10.2 | 熔煉 | ||
W靶材 | 4N5 | 19.35 | 熔煉 | ||
Ti靶材 | 5N | 4.5 | 熔煉 | ||
Ta靶材 | 4N | 16.6 | 熔煉 | ||
WTi靶材 | 4N5 | HIP | |||
AlSi靶材 | 5N | 熔煉 | |||
AlSiCu靶材 | 5N | 熔煉 | |||
Ti3O5靶材 | 4N | 燒結(jié) | |||
ITO靶材 | 4N | 7.20 | 通氧燒結(jié) | ||
NiCr靶材 | 4N | 熔煉 | |||
NiV靶材 | 4N | 熔煉 | |||
NiCrSi靶材 | 4N | 熔煉 | |||
SiAl靶材 | 4N | 熔煉 |